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IGW25T120FKSA1

IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

igw25t120_rev2_3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.

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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 25A
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25T120-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 25A
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies igw25t120_rev2_3.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 Hersteller : INFINEON INFNS14051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
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IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon IGW25T120_Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4281fd73d6c
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IGW25T120FKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IGW25T120_DS_v02_04_en-1226935.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
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