IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies
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| 240+ | 3.66 EUR |
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Technische Details IGW25T120FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns, Switching Energy: 4.2mJ, Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 190 W.
Weitere Produktangebote IGW25T120FKSA1 nach Preis ab 3.38 EUR bis 6.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 190W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 25A Power dissipation: 190W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 25A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon |
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IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W |
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| IGW25T120FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs |
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