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IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Name: IGZ75N65H5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 156212-4
Price: 12.41 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS

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Technische Details IGZ75N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 197W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Gate charge: 166nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 37ns, Turn-off time: 415ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 75A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 300A.

Weitere Produktangebote IGZ75N65H5XKSA1

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IGZ75N65H5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 197W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 166nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 415ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Collector-emitter voltage: 650V Pulsed collector current: 300A	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IGZ75N65H5XKSA1

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 300A

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