IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 17+ | 10.58 EUR |
| 19+ | 9.21 EUR |
| 50+ | 8.33 EUR |
| 100+ | 7.53 EUR |
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Technische Details IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: -/525ns, Switching Energy: 4.37mJ, Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 312 W.
Weitere Produktangebote IHW30N160R2FKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/525ns Switching Energy: 4.37mJ Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 312 W |
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IHW30N160R2FKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A |
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IHW30N160R2FKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s) MSL: - Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1 Verlustleistung Pd: 312 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - DC-Kollektorstrom: 30 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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| IHW30N160R2FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
Description: IGBT NPT FS 1600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/525ns
Switching Energy: 4.37mJ
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 312 W
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| IHW30N160R2FKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
IGBTs RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
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| IHW30N160R2FKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: INFINEON - IHW30N160R2FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.1 V, 312 W, 1.6 kV, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.1
Verlustleistung Pd: 312
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.6
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 30
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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