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IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IHW30N65R5_DataSheet_v02_01_EN-3362008.pdf Hersteller: Infineon Technologies
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Technische Details IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns, Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V, Gate Charge: 153 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 176 W.

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IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW30N65R5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014db954d0454713 Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/220ns
Switching Energy: 850µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 153 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 176 W
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IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw30n65r5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 176000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC65625A78A73D7&compId=IHW30N65R5.pdf?ci_sign=7f03a628084c42f7eb5565be268fbe684ca2dcbe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-off time: 228ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IHW30N65R5XKSA1 IHW30N65R5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC65625A78A73D7&compId=IHW30N65R5.pdf?ci_sign=7f03a628084c42f7eb5565be268fbe684ca2dcbe Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 88W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 88W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 153nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate-emitter voltage: ±20V
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