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IHW40N65R6XKSA1

IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.29 EUR
26+2.79 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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Technische Details IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT 650V 83A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 99 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns, Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 159 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 83 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 210 W.

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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonihw40n65r6datasheetv0120en.pdf IGBT with Monolithic Integrated Diode
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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Description: IGBT 650V 83A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 99 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 159 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 83 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 210 W
auf Bestellung 456 Stücke:
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4+4.73 EUR
30+2.57 EUR
120+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf IGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
auf Bestellung 141 Stücke:
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1+4.82 EUR
10+2.62 EUR
100+2.13 EUR
480+1.76 EUR
1200+1.72 EUR
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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : INFINEON 3760037.pdf Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 166 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ihw40n65r6-datasheet-v01_20-en.pdf SP005399488
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IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonihw40n65r6datasheetv0120en.pdf IGBT with Monolithic Integrated Diode
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