IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 170W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HighSpeed 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 40A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IKB20N60H3ATMA1 nach Preis ab 1.32 EUR bis 3.75 EUR
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 170W euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
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IKB20N60H3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 85W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A |
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