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IKB40N65ES5ATMA1

IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPreis
41+3.64 EUR
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Technische Details IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO263-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns, Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 79 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 230 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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41+3.64 EUR
45+3.16 EUR
46+3.01 EUR
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IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
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IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON 2619566.pdf Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
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IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 INFINEON 2619566.pdf Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.31 EUR
2000+3.11 EUR
3000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
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2+9.1 EUR
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100+4.29 EUR
500+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
41+3.64 EUR
45+3.16 EUR
46+3.01 EUR
100+2.69 EUR
250+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1 infineonikb40n65es5datasheetv0201en.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
21+7.07 EUR
30+4.93 EUR
100+3.8 EUR
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IGBTs INDUSTRY
auf Bestellung 3326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+7.81 EUR
10+5.16 EUR
100+3.7 EUR
500+3.29 EUR
1000+3.06 EUR
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IKB40N65ES5ATMA1 2619566.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKB40N65ES5ATMA1 2619566.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 230W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 79A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1000+3.31 EUR
2000+3.11 EUR
3000+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IKB40N65ES5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
auf Bestellung 3546 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+9.1 EUR
10+6.04 EUR
100+4.29 EUR
500+3.55 EUR
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