Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IKD06N60RFATMA1
IKD06N60RFATMA1

IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
211+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 211
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IKD06N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns, Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 48 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A, Power - Max: 100 W.

Weitere Produktangebote IKD06N60RFATMA1 nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
198+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 198
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
192+0.76 EUR
195+0.72 EUR
198+0.68 EUR
201+0.64 EUR
250+0.61 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 192
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKD06N60RF_DataSheet_v02_04_EN-3361920.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 2087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+0.98 EUR
250+0.97 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.73 EUR
11+1.73 EUR
100+1.16 EUR
500+0.91 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0004163181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd06n60-rf-datasheet-v02_04-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 IKD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IKD06N60RFATMA1 IKD06N60RFATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-EiceDRIVER_Gate_Driver_ICs-ProductSelectionGuide-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018094fa56806ee1&redirId=195507 Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH