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IKD10N60RC2ATMA1

IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
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Technische Details IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 79W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP RC, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 18.8A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
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IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : INFINEON 3180302.pdf Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : INFINEON 3180302.pdf Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 18.8A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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85+ 1.78 EUR
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IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications, 600V 10A, 175° PG-TO252-3
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IKD10N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikd10n60rc2-datasheet-v02_01-en.pdf Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
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