IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2500+ | 1.23 EUR |
| 5000+ | 1.19 EUR |
| 12500+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IKD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns, Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.
Weitere Produktangebote IKD15N60RATMA1 nach Preis ab 1.3 EUR bis 4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 15A Power dissipation: 250W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 2061 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W |
auf Bestellung 19381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A |
auf Bestellung 10268 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
auf Bestellung 7198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
auf Bestellung 7198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKD15N60RATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |