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IKD15N60RFATMA1

IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies

1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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95+1.84 EUR
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Technische Details IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 74 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO252-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns, Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 90 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 250 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies 1623404747076283ikd15n60rf_2_3.pdffileiddb3a304335c2937a0135e75d857b7a1afolderid..pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON 2580923.pdf Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 14306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
122+1.76 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.33 EUR
5000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 INFINEON 2580923.pdf Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 14306 Stücke:
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54+4.65 EUR
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Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IKD15N60RFATMA1 IKD15N60RFATMA1 Infineon Technologies DS_IKD15N60RF_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304335c2937a0135e75d857b7a1a Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
auf Bestellung 2387 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.66 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IKD15N60RFATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 14306 Stücke:
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122+1.76 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
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