Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IKFW50N60DH3EXKSA1
IKFW50N60DH3EXKSA1

IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IKFW50N60DH3E.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
30+ 4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 12
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 64 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns, Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V, Gate Charge: 160 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 130 W.

Weitere Produktangebote IKFW50N60DH3EXKSA1 nach Preis ab 4.57 EUR bis 14.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60DH3E.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+6.29 EUR
13+ 5.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 240
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.81 EUR
22+ 7.1 EUR
25+ 6.77 EUR
100+ 5.85 EUR
240+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
20+7.81 EUR
22+ 7.1 EUR
25+ 6.77 EUR
100+ 5.85 EUR
240+ 4.57 EUR
Mindestbestellmenge: 20
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKFW50N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff1f782dfb Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+10.14 EUR
30+ 8.03 EUR
120+ 6.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKFW50N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3361966.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
auf Bestellung 98 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
4+14.87 EUR
10+ 14.14 EUR
25+ 11.8 EUR
100+ 10.11 EUR
240+ 10.09 EUR
480+ 7.67 EUR
1200+ 7.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : INFINEON 2849722.pdf Description: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikfw50n60dh3e-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar