IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKFW60N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 50A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 68 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns, Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 210 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 53 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 141 W.
Weitere Produktangebote IKFW60N60DH3EXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 141 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 189ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 600V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 68 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 141 W |
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IKFW60N60DH3EXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 104W Case: PG-TO247-3-AI Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Turn-on time: 62ns Turn-off time: 189ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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