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IKFW60N60EH3XKSA1

IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0163016e787232af
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
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Technische Details IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 50A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKFW60N60EH3XKSA1 IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW60N60EH3-DS-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY
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Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
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Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
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Collector current: 50A
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