IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 50A, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate charge: 290nC, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns.
Weitere Produktangebote IKFW60N60EH3XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies |
 IGBTs INDUSTRY |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKFW60N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 290nC Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies |
High speed switching series third generation IGBT |
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| IKFW60N60EH3XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
IGBTs INDUSTRY
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| IKFW60N60EH3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 290nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 290nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
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| IKFW60N60EH3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
High speed switching series third generation IGBT
High speed switching series third generation IGBT
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