Technische Details IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote IKFW60N60EH3XKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Infineon Technologies |
 IGBTs INDUSTRY |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKFW60N60EH3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKFW60N60EH3XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
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Stück im Wert von UAH
| IKFW60N60EH3XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Gate-emitter voltage: ±20V
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