IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKFW60N60EH3XKSA1 Infineon Technologies
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™, Power dissipation: 164W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 290nC, Kind of package: tube, Collector current: 50A, Pulsed collector current: 200A, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Turn-on time: 64ns, Turn-off time: 253ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IKFW60N60EH3XKSA1 nach Preis ab 6.44 EUR bis 12.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBTs INDUSTRY 14 |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High speed switching series third generation IGBT |
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IKFW60N60EH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
High speed switching series third generation IGBT |
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| IKFW60N60EH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IKFW60N60EH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 164W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 290nC Kind of package: tube Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 64ns Turn-off time: 253ns Gate-emitter voltage: ±20V |
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