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IKN01N60RC2ATMA1

IKN01N60RC2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 2.2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
Power - Max: 5.1 W
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Technische Details IKN01N60RC2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V, Verlustleistung Pd: 5.1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2.2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKN01N60RC2_DataSheet_v01_10_EN-3361872.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IKN01N60RC2ATMA1 IKN01N60RC2ATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IKN01N60RC2-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017c991a5b490763 Description: INFINEON - IKN01N60RC2ATMA1 - IGBT, 2.2 A, 2 V, 5.1 W, 600 V, SOT-223, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 5.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2.2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 2.2A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Td (on/off) @ 25°C: 5.6ns/80ns
Switching Energy: 25.1µJ (on), 13.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 1A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 3 A
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