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IKP15N60TXKSA1

IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IKP15N60T-DTE.pdf Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Technische Details IKP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: IGBT 600V 30A 130W TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns, Switching Energy: 570µJ, Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 130 W.

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IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2690 Stücke:
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IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Hersteller : INFINEON 2331899.pdf Description: INFINEON - IKP15N60TXKSA1 - IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 6157 Stücke:
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IKP15N60TXKSA1 Hersteller : Infineon IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 30A; 600V; 130W; IGBT w/ Diode IKP15N60TXKSA1 IKP15N60T TIKP15n60t
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
10+4.76 EUR
Mindestbestellmenge: 10
IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikp15n60t-datasheet-v02_05-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IKP15N60TXKSA1 IKP15N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKP15N60T+Rev2_2G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bcf657e035a0 Description: IGBT 600V 30A 130W TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns
Switching Energy: 570µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 130 W
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IKP15N60TXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKP15N60T_DataSheet_v02_05_EN-3163798.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
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