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Technische Details IKQ50N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HighSpeed 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IKQ50N120CH3XKSA1 nach Preis ab 7.44 EUR bis 15.03 EUR
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1200V 100A TO247-3-46Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/297ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.9mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 652 W |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ50N120CH3XKSA1 - IGBT, 100 A, 2 V, 652 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 652W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 652W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKQ50N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 173W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 173W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 235nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H3 |
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