IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKQ75N120CH3XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 938W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 150A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IKQ75N120CH3XKSA1 nach Preis ab 10.21 EUR bis 19.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IGBT 1200V 150A TO247-3-46Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 34ns/282ns Switching Energy: 6.4mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 370 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 938 W |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKQ75N120CH3XKSA1 - IGBT, 150 A, 2 V, 938 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 938W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IKQ75N120CH3XKSA1 Produktcode: 162552
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 938W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 256W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKQ75N120CH3XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 256W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Gate charge: 0.37µC Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 256W Collector-emitter voltage: 1.2kV Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Case: TO247-3 |
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