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IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Name: IKW15N120T2FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 34406197-5
Price: 147.20 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Technische Details IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns, Switching Energy: 2.05mJ, Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V, Gate Charge: 93 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 235 W.

Weitere Produktangebote IKW15N120T2FKSA1 nach Preis ab 1.22 EUR bis 6.83 EUR

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Beschreibung

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IKW15N120T2FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW15N120T2FKSA1

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IKW15N120T2FKSA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IKW15N120T2FKSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IKW15N120T2FKSA1

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0002470876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Hersteller : Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W

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Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3163824.pdf

IGBT Transistors INDUSTRY 14

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