IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns, Switching Energy: 2.05mJ, Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V, Gate Charge: 93 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 235 W.
Weitere Produktangebote IKW15N120T2FKSA1 nach Preis ab 3.81 EUR bis 11.91 EUR
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 235W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns Switching Energy: 2.05mJ Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V Gate Charge: 93 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 235 W |
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| IKW15N120T2FKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
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