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IKW15N120T2FKSA1

IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies

infineonikw15n120t2datasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 300 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns, Switching Energy: 2.05mJ, Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V, Gate Charge: 93 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 235 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 Infineon Technologies infineonikw15n120t2datasheetv0202en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON INFN-S-A0002470876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
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Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 235W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchStop® 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
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