IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3+ | 7.25 EUR |
| 30+ | 5.74 EUR |
| 120+ | 4.92 EUR |
| 510+ | 4.37 EUR |
| 1020+ | 3.74 EUR |
| 2010+ | 3.53 EUR |
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Technische Details IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 143 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 1.46mJ, Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W.
Weitere Produktangebote IKW30N60TFKSA1 nach Preis ab 5.17 EUR bis 13.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A |
auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon |
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N60TFKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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