IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
auf Bestellung 660 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 5.97 EUR |
| 30+ | 3.27 EUR |
| 120+ | 2.68 EUR |
| 510+ | 2.24 EUR |
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Technische Details IKW30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 70 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Weitere Produktangebote IKW30N65H5XKSA1 nach Preis ab 2.87 EUR bis 7.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs INDUSTRY 14 |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW30N65H5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Pulsed collector current: 90A |
Produkt ist nicht verfügbar |