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IKW30N65WR5XKSA1

IKW30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IKW30N65WR5_DataSheet_v01_20_EN-3361890.pdf Hersteller: Infineon Technologies
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Technische Details IKW30N65WR5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns, Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 185 W.

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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies IKW30N65WR5_DS.pdf Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5F600351953D7&compId=IKW30N65WR5.pdf?ci_sign=fca82b64ffb71e83afcb941304821656608b4787 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5F600351953D7&compId=IKW30N65WR5.pdf?ci_sign=fca82b64ffb71e83afcb941304821656608b4787 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
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Turn-off time: 376ns
Pulsed collector current: 90A
Collector current: 30A
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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : INFINEON 2882459.pdf Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IKW30N65WR5XKSA1 IKW30N65WR5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw30n65wr5-datasheet-v01_20-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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