IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IKW40N120CS7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 175 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns, Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 82 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 357 W.
Weitere Produktangebote IKW40N120CS7XKSA1 nach Preis ab 5.74 EUR bis 12.5 EUR
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 408240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 1418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 175 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 579 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005415716 |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 56A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IKW40N120CS7XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 56A Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
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