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IKW50N65ES5XKSA1

IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V, MSL: -, Verlustleistung: 274W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
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IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299775-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IKW50N65ES5XKSA1 IKW50N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW50N65ES5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 14 Stücke:
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IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 610 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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38+4.68 EUR
120+4.08 EUR
510+3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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IKW50N65ES5XKSA1 infineon-ikw50n65es5-ds-v02_03-en.pdf
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AnzahlPrivatkunde
33+5.55 EUR
37+4.82 EUR
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32+5.62 EUR
38+4.58 EUR
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+5.7 EUR
38+4.74 EUR
120+4.08 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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1+10.86 EUR
10+6.64 EUR
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IKW50N65ES5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Gate charge: 0.12µC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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