| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 10.09 EUR |
| 100+ | 9.45 EUR |
| 500+ | 8.76 EUR |
| 1000+ | 8.09 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65SS5XKSA1 nach Preis ab 7.5 EUR bis 21.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
auf Bestellung 19680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Discrete Chip |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W |
auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35VsattariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 274W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
auf Bestellung 19680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 66+ | 10.09 EUR |
| 100+ | 9.45 EUR |
| 500+ | 8.76 EUR |
| 1000+ | 8.09 EUR |
| 10000+ | 7.5 EUR |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 16.58 EUR |
| 18+ | 10.1 EUR |
| 25+ | 9.78 EUR |
| 50+ | 9.47 EUR |
| 100+ | 8.15 EUR |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
IGBT Discrete Chip
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 16.58 EUR |
| 18+ | 9.88 EUR |
| 25+ | 9.42 EUR |
| 50+ | 8.97 EUR |
| 100+ | 7.53 EUR |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.68 EUR |
| 30+ | 11.01 EUR |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 19.73 EUR |
| 10+ | 11.44 EUR |
| 100+ | 10.09 EUR |
| 480+ | 9.01 EUR |
| 1200+ | 8.33 EUR |
| IKW50N65SS5XKSA1 |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 274W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.9 EUR |
| 15+ | 16.15 EUR |
| 20+ | 11.06 EUR |
| 50+ | 10.17 EUR |
| 100+ | 8.62 EUR |





