Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IKW50N65SS5XKSA1
IKW50N65SS5XKSA1

IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies


infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Discrete Chip
auf Bestellung 20160 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+13.5 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IKW50N65SS5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns, Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 110 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 274 W.

Weitere Produktangebote IKW50N65SS5XKSA1 nach Preis ab 9.15 EUR bis 24.9 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IKW50N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3361987.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
auf Bestellung 671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+16.16 EUR
10+ 13.87 EUR
25+ 12.57 EUR
100+ 11.55 EUR
240+ 10.86 EUR
480+ 10.17 EUR
1200+ 9.15 EUR
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKW50N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc280a0e31a9 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+16.26 EUR
30+ 12.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+24.9 EUR
10+ 21.71 EUR
50+ 18.68 EUR
100+ 16.38 EUR
200+ 15.2 EUR
Mindestbestellmenge: 7
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : INFINEON 3177188.pdf Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf SP001668430
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar
IKW50N65SS5XKSA1 IKW50N65SS5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikw50n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf IGBT Discrete Chip
Produkt ist nicht verfügbar