IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3+ | 6.21 EUR |
| 30+ | 4.92 EUR |
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Technische Details IKW50N65WR5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 110 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns, Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V, Gate Charge: 230 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 282 W.
Weitere Produktangebote IKW50N65WR5XKSA1 nach Preis ab 4.42 EUR bis 9.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 282W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |