Technische Details IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns, Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 435 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 333 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote IKW75N65ET7XKSA1 nach Preis ab 6.01 EUR bis 14.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 207 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 435 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 333 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package |
auf Bestellung 89 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Verlustleistung: 333W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IKW75N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 207 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.41 EUR |
| IKW75N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 7.6 EUR |
| 100+ | 7.13 EUR |
| IKW75N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 12.34 EUR |
| 30+ | 7.04 EUR |
| IKW75N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.72 EUR |
| 10+ | 8.43 EUR |
| 100+ | 7.03 EUR |
| 480+ | 6.01 EUR |
| IKW75N65ET7XKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)