IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 13+ | 11.32 EUR |
| 25+ | 10.75 EUR |
| 50+ | 10.13 EUR |
| 100+ | 9.72 EUR |
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Technische Details IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns, Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 395 W.
Weitere Produktangebote IKW75N65SS5XKSA1 nach Preis ab 10.53 EUR bis 22.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
auf Bestellung 424 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 1172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004038158 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode |
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