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IKZ50N65EH5XKSA1

IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon_IKZ50N65EH5_DS_v02_01_EN-1731549.pdf Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
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Technische Details IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns, Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 273 W.

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IKZ50N65EH5XKSA1 IKZ50N65EH5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IKZ50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a12010f201a Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
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IKZ50N65EH5XKSA1 IKZ50N65EH5XKSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IKZ50N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501497a12010f201a Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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IKZ50N65EH5XKSA1 IKZ50N65EH5XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-ikz50n65eh5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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