IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IKZ50N65EH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 53 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns, Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 85 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 273 W.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IKZ50N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 53 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-4 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 273 W |
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IKZ50N65EH5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IKZ50N65EH5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 273 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 273 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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IKZ50N65EH5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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