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IKZ75N65EL5XKSA1

IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 100A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
auf Bestellung 196 Stücke:
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Technische Details IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT 650V 100A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 59 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Td (on/off) @ 25°C: 120ns/275ns, Switching Energy: 1.57mJ (on), 3.2mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 436 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 536 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
auf Bestellung 1075 Stücke:
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10+8.94 EUR
100+6.65 EUR
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IKZ75N65EL5XKSA1 IKZ75N65EL5XKSA1 INFINEON Infineon-IKZ75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11e8c9ca3af9 Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IKZ75N65EL5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EL5_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IKZ75N65EL5XKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
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10+8.94 EUR
100+6.65 EUR
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IKZ75N65EL5XKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IKZ75N65EL5XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Verlustleistung: 536W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 100A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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