IMB10AT110

IMB10AT110 Rohm Semiconductor


datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMB10AT110 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SMT6, Part Status: Active.

Weitere Produktangebote IMB10AT110 nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IMB10AT110 IMB10AT110 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+0.63 EUR
37+0.49 EUR
100+0.29 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110 IMB10AT110 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 144-148 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.64 EUR
10+0.49 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110 datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMB10AT110 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IMB10AT110 PNP SMD transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH