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IMB10AT110

IMB10AT110 Rohm Semiconductor

datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Technische Details IMB10AT110 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMB10AT110 IMB10AT110 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
auf Bestellung 5988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
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IMB10AT110 IMB10AT110 ROHM Semiconductor datasheet?p=IMB10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
auf Bestellung 2980 Stücke:
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4+0.94 EUR
10+0.52 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
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3000+0.21 EUR
6000+0.19 EUR
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IMB10AT110
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Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
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Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
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Digital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
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6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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