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IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
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Technische Details IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-13, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V.

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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMBF170R1K0M1-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b70171820c93e21adc Description: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMBF170R1K0M1_DataSheet_v02_03_EN-3362316.pdf MOSFET SIC DISCRETE
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbf170r1k0m1-datasheet-v02_03-en.pdf CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : INFINEON 3049631.pdf Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : INFINEON 3049631.pdf Description: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
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Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbf170r1k0m1-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbf170r1k0m1-datasheet-v02_03-en.pdf CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
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