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IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBG120R022M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fff7e920ca Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
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Technische Details IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IMBG120R022M2HXTMA1 nach Preis ab 15.33 EUR bis 34.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg120r022m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R022M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d21fff7e920ca Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
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Anzahl Preis
6+24.49 EUR
10+23.24 EUR
25+22.03 EUR
100+20.83 EUR
250+19.68 EUR
500+18.54 EUR
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auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6+24.49 EUR
10+23.24 EUR
25+22.03 EUR
100+20.83 EUR
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auf Bestellung 812 Stücke:
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 938 Stücke:
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg120r022m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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