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IMBG120R022M2HXTMA1

IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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11+15.61 EUR
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Technische Details IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 385W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm.

Weitere Produktangebote IMBG120R022M2HXTMA1 nach Preis ab 12.63 EUR bis 35.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+15.96 EUR
25+15.36 EUR
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+21.85 EUR
50+20.3 EUR
100+18.74 EUR
250+18.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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7+25.76 EUR
10+19.22 EUR
100+16.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r022m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R022M2H-DataSheet-v01_30-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.13 EUR
10+20.55 EUR
100+17.61 EUR
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r022m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.9 EUR
10+21.09 EUR
50+17.9 EUR
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IMBG120R022M2HXTMA1 IMBG120R022M2HXTMA1 INFINEON 4410321.pdf Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+35.44 EUR
9+28.29 EUR
10+21.85 EUR
50+20.3 EUR
100+18.74 EUR
250+18.37 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IMBG120R022M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 653 Stücke:
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11+15.96 EUR
25+15.36 EUR
100+14.78 EUR
250+14.32 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IMBG120R022M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
auf Bestellung 1834 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+21.85 EUR
50+20.3 EUR
100+18.74 EUR
250+18.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+25.76 EUR
10+19.22 EUR
100+16.16 EUR
1000+13.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBG120R022M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 87A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+25.76 EUR
10+18.8 EUR
100+15.57 EUR
1000+12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+20.55 EUR
100+17.61 EUR
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Description: SICFET N-CH 1200V 87A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 385W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 800 V
auf Bestellung 485 Stücke:
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1+29.9 EUR
10+21.09 EUR
50+17.9 EUR
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IMBG120R022M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R022M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 87 A, 1.2 kV, 0.0216 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 385W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0216ohm
auf Bestellung 1834 Stücke:
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8+35.44 EUR
9+28.29 EUR
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