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IMBG120R034M2HXTMA1

IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r034m2hdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Technische Details IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 278W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r034m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 INFINEON 4423395.pdf Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMBG120R034M2HXTMA1 IMBG120R034M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R034M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191c2210f0527b0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R034M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.034 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 278W
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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