Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R040M2HXTMA1
IMBG120R040M2HXTMA1

IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imbg120r040m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 848 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+13.38 EUR
25+12.68 EUR
100+11.99 EUR
250+11.32 EUR
500+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IMBG120R040M2HXTMA1 nach Preis ab 8.16 EUR bis 19.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+13.38 EUR
25+12.68 EUR
100+11.99 EUR
250+11.32 EUR
500+10.67 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R040M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2200102020d0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+17.49 EUR
10+12.07 EUR
100+9.00 EUR
500+8.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMBG120R040M2H_DataSheet_v01_00_EN-3421337.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+19.82 EUR
10+17.48 EUR
25+17.00 EUR
50+16.05 EUR
100+15.10 EUR
250+14.63 EUR
500+14.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 876 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMBG120R040M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2200102020d0 Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH