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IMBG120R040M2HXTMA1

IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm.

Weitere Produktangebote IMBG120R040M2HXTMA1 nach Preis ab 7.38 EUR bis 24.69 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+9.76 EUR
19+9.46 EUR
25+9.12 EUR
100+8.76 EUR
250+8.48 EUR
500+8.22 EUR
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IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r040m2hdatasheetv0120en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
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19+9.26 EUR
25+8.77 EUR
100+8.29 EUR
250+7.83 EUR
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IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R040M2H_DataSheet_v01_20_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 316 Stücke:
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IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r040m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
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10+14.63 EUR
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IMBG120R040M2HXTMA1 IMBG120R040M2HXTMA1 INFINEON 4410319.pdf Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.69 EUR
12+19.44 EUR
15+14.73 EUR
50+13.09 EUR
100+11.44 EUR
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Dauer-Drainstrom Id: 52A
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 575 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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19+9.26 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 5.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
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Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 800 V
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10+14.63 EUR
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IMBG120R040M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
11+24.69 EUR
12+19.44 EUR
15+14.73 EUR
50+13.09 EUR
100+11.44 EUR
250+11.2 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.0396 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0396ohm
auf Bestellung 366 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+24.69 EUR
12+19.44 EUR
15+14.73 EUR
50+13.09 EUR
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