IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IMBG120R045M1HXTMA1 nach Preis ab 17.61 EUR bis 31.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V |
auf Bestellung 1017 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 185-189 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 227W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMBG120R045M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |