Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R045M1HXTMA1
IMBG120R045M1HXTMA1

IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.94 EUR
27+6.49 EUR
100+6.24 EUR
250+6.03 EUR
500+5.84 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 26 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 227W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Weitere Produktangebote IMBG120R045M1HXTMA1 nach Preis ab 5.25 EUR bis 29.96 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.94 EUR
27+6.24 EUR
100+5.9 EUR
250+5.57 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263 Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
1000+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.93 EUR
11+16.48 EUR
50+13.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.93 EUR
11+16.84 EUR
50+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.92 EUR
10+14.85 EUR
100+13.99 EUR
500+13.32 EUR
1000+13.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263 Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.83 EUR
10+18.79 EUR
50+15.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+29.96 EUR
11+22.4 EUR
14+15.64 EUR
50+15.53 EUR
100+15.42 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 INFINEON 3159567.pdf Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+29.96 EUR
11+22.4 EUR
14+15.64 EUR
50+15.53 EUR
100+15.42 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
26+6.94 EUR
27+6.24 EUR
100+5.9 EUR
250+5.57 EUR
500+5.25 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+12.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+15.02 EUR
100+14.05 EUR
500+13.04 EUR
1000+12.04 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.93 EUR
11+16.48 EUR
50+13.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 infineonimbg120r045m1hdatasheetv0103en.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+22.93 EUR
11+16.84 EUR
50+14.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon_IMBG120R045M1H_DataSheet_v01_03_EN.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+23.92 EUR
10+14.85 EUR
100+13.99 EUR
500+13.32 EUR
1000+13.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R045M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecc4e83263
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
auf Bestellung 1007 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+26.83 EUR
10+18.79 EUR
50+15.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+29.96 EUR
11+22.4 EUR
14+15.64 EUR
50+15.53 EUR
100+15.42 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R045M1HXTMA1 3159567.pdf
IMBG120R045M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+29.96 EUR
11+22.4 EUR
14+15.64 EUR
50+15.53 EUR
100+15.42 EUR
250+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH