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IMBG120R090M1HXTMA1

IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg120r090m1hdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Technische Details IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R090M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ece3813269 Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r090m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+8.33 EUR
100+7.81 EUR
500+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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auf Bestellung 13000 Stücke:
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1000+9.17 EUR
6000+8.31 EUR
9000+7.6 EUR
12000+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R090M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
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1+11.75 EUR
10+8.84 EUR
100+7.6 EUR
500+7.27 EUR
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r090m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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15+11.97 EUR
50+11.47 EUR
100+11.19 EUR
200+10.9 EUR
500+9.48 EUR
1000+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R090M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ece3813269 Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2557 Stücke:
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2+17.05 EUR
10+11.63 EUR
100+8.57 EUR
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2946 Stücke:
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15+17.09 EUR
17+13.92 EUR
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100+8.51 EUR
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IMBG120R090M1HXTMA1 IMBG120R090M1HXTMA1 INFINEON 3159569.pdf Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 26A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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15+17.09 EUR
17+13.92 EUR
20+11.03 EUR
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100+8.51 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 796 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+7.81 EUR
500+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+9.17 EUR
6000+8.31 EUR
9000+7.6 EUR
12000+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+11.75 EUR
10+8.84 EUR
100+7.6 EUR
500+7.27 EUR
1000+6.47 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 26A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+11.97 EUR
50+11.47 EUR
100+11.19 EUR
200+10.9 EUR
500+9.48 EUR
1000+9.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
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FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+17.05 EUR
10+11.63 EUR
100+8.57 EUR
500+7.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMBG120R090M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.09 EUR
17+13.92 EUR
20+11.03 EUR
50+9.77 EUR
100+8.51 EUR
250+8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R090M1HXTMA1 3159569.pdf
IMBG120R090M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.09 EUR
17+13.92 EUR
20+11.03 EUR
50+9.77 EUR
100+8.51 EUR
250+8.48 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH