IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 29+ | 5.14 EUR |
| 30+ | 4.63 EUR |
| 50+ | 4.38 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 250+ | 3.90 EUR |
| 500+ | 3.66 EUR |
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Technische Details IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 107W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMBG120R140M1HXTMA1 nach Preis ab 3.66 EUR bis 11.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package |
auf Bestellung 1394 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V |
auf Bestellung 661 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 107W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMBG120R140M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Vgs (Max): +18V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V |
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