IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.65 EUR |
| 10+ | 7.63 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
| 500+ | 4.99 EUR |
| 1000+ | 4.41 EUR |
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Technische Details IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 94W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm.
Weitere Produktangebote IMBG120R181M2HXTMA1 nach Preis ab 4.65 EUR bis 12.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HVtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm |
auf Bestellung 976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm |
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| IMBG120R181M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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Bauform - Transistor: TO-263HV
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Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.42 EUR |
| 32+ | 7.35 EUR |
| 100+ | 5.08 EUR |
| 500+ | 4.65 EUR |
| IMBG120R181M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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Bauform - Transistor: TO-263HV
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Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
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Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 21+ | 12.42 EUR |
| 32+ | 7.35 EUR |
| 100+ | 5.08 EUR |
| 500+ | 4.65 EUR |