IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMBG120R181M2HXTMA1 nach Preis ab 4.49 EUR bis 10.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R181M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1814ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 14.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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IMBG120R181M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 181.4mOhm @ 3.9A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V |
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