Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMBG120R220M1HXTMA1
IMBG120R220M1HXTMA1

IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

Weitere Produktangebote IMBG120R220M1HXTMA1 nach Preis ab 3.72 EUR bis 17.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
38+4.27 EUR
100+4.08 EUR
250+3.9 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.01 EUR
38+4.43 EUR
100+4.32 EUR
250+4.24 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
127+5.18 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.92 EUR
23+7.47 EUR
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+10.92 EUR
23+7.31 EUR
100+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.88 EUR
10+7.96 EUR
100+5.74 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.79 EUR
10+8.57 EUR
100+6.89 EUR
500+6.12 EUR
1000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 INFINEON 3159571.pdf Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 IMBG120R220M1HXTMA1 INFINEON 3159571.pdf Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.01 EUR
38+4.27 EUR
100+4.08 EUR
250+3.9 EUR
500+3.72 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.01 EUR
38+4.43 EUR
100+4.32 EUR
250+4.24 EUR
500+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
127+5.18 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 127 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.92 EUR
23+7.47 EUR
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 infineonimbg120r220m1hdatasheetv0202en.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 812 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+10.92 EUR
23+7.31 EUR
100+5.57 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b0ecffdf326f
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 13A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +18V, -15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+11.88 EUR
10+7.96 EUR
100+5.74 EUR
500+5.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon-IMBG120R220M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+12.79 EUR
10+8.57 EUR
100+6.89 EUR
500+6.12 EUR
1000+5.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 3159571.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG120R220M1HXTMA1 3159571.pdf
IMBG120R220M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15+17.24 EUR
22+10.72 EUR
100+7.97 EUR
500+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH