IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm.
Weitere Produktangebote IMBG120R234M2HXTMA1 nach Preis ab 3.24 EUR bis 12.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package |
auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R234M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V |
auf Bestellung 986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG120R234M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 80W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm |
auf Bestellung 641 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG120R234M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 829 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.53 EUR |
| 33+ | 5.28 EUR |
| 50+ | 4.37 EUR |
| 100+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.24 EUR |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 829 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 7.53 EUR |
| 33+ | 5.4 EUR |
| 50+ | 4.53 EUR |
| 100+ | 3.9 EUR |
| 500+ | 3.51 EUR |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 3605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.48 EUR |
| 10+ | 4.94 EUR |
| 100+ | 4.49 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
| 1000+ | 3.94 EUR |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
auf Bestellung 986 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.01 EUR |
| 10+ | 6.64 EUR |
| 50+ | 5.2 EUR |
| 100+ | 4.74 EUR |
| 500+ | 4.21 EUR |
| IMBG120R234M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
auf Bestellung 641 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.22 EUR |
| 40+ | 5.91 EUR |
| 100+ | 4.95 EUR |
| 500+ | 4.37 EUR |