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IMBG120R234M2HXTMA1

IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBG120R234M2H-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d1b852e018d2200594620df Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
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Technische Details IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg120r234m2h-datasheet-v01_30-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
37+4.04 EUR
44+3.15 EUR
100+2.95 EUR
250+2.76 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.40 EUR
Mindestbestellmenge: 37
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37+4.04 EUR
44+3.15 EUR
100+2.95 EUR
250+2.76 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.40 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.18 EUR
10+5.44 EUR
100+3.88 EUR
500+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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auf Bestellung 684 Stücke:
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Anzahl Preis
1+8.61 EUR
10+5.98 EUR
100+4.59 EUR
500+4.51 EUR
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410314.pdf Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 841 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4410314.pdf Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
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MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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