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IMBG120R234M2HXTMA1

IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON

4410314.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.55 EUR
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Technische Details IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 80W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263HV, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm.

Weitere Produktangebote IMBG120R234M2HXTMA1 nach Preis ab 3.21 EUR bis 11.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r234m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 829 Stücke:
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23+7.87 EUR
32+5.41 EUR
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg120r234m2hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 829 Stücke:
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG120R234M2H-DataSheet-v01_30-EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
auf Bestellung 6004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+6.24 EUR
100+4.44 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.94 EUR
2000+3.72 EUR
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg120r234m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
auf Bestellung 758 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.65 EUR
10+6.4 EUR
50+5 EUR
100+4.56 EUR
500+4.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IMBG120R234M2HXTMA1 IMBG120R234M2HXTMA1 INFINEON 4410314.pdf Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
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IMBG120R234M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 8.1A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
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1000+3.94 EUR
2000+3.72 EUR
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IMBG120R234M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 233.9mOhm @ 3A, 18V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 900µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 800 V
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Description: INFINEON - IMBG120R234M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 8.1 A, 1.2 kV, 0.2339 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Mosfet 1200V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2339ohm
auf Bestellung 1012 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+11.22 EUR
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