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IMBG40R025M2HXTMA1

IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r025m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
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IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
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IMBG40R025M2HXTMA1 IMBG40R025M2HXTMA1 INFINEON 4384411.pdf Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263
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Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm
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Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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