IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 17+ | 8.41 EUR |
| 25+ | 8.04 EUR |
| 100+ | 7.68 EUR |
| 250+ | 7.32 EUR |
| 500+ | 6.96 EUR |
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Technische Details IMBG40R025M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMBG40R025M2HXTMA1 nach Preis ab 6.96 EUR bis 14.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC-MOS |
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IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG40R025M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Cool SiC G2 MOSFET |
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IMBG40R025M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |