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IMBG40R036M2HXTMA1

IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMBG40R036M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f580a577f3344 Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 200 V
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Technische Details IMBG40R036M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMBG40R036M2H_DataSheet_v02_00_EN-3483336.pdf SiC MOSFETs SIC-MOS
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IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 400V
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Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IMBG40R036M2HXTMA1 IMBG40R036M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4384412.pdf Description: INFINEON - IMBG40R036M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
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Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IMBG40R036M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imbg40r036m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45.7mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 18 V
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