IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 32.45 EUR |
| 50+ | 30.26 EUR |
| 100+ | 28.06 EUR |
| 250+ | 27.5 EUR |
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Technische Details IMBG65R010M2HXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 158A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 535W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm.
Weitere Produktangebote IMBG65R010M2HXTMA1 nach Preis ab 25.41 EUR bis 50.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? |
auf Bestellung 256 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R010M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R010M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 535W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R010M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 1+ | 44.61 EUR |
| 10+ | 32.07 EUR |
| 100+ | 28.91 EUR |
| 500+ | 28.49 EUR |
| 1000+ | 25.41 EUR |
| IMBG65R010M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
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| 1+ | 45.33 EUR |
| 10+ | 32.72 EUR |
| 100+ | 30.45 EUR |
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Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 9100 µohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 158A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 5+ | 50.71 EUR |
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| 10+ | 32.45 EUR |
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| 100+ | 28.06 EUR |
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