IMBG65R010M2HXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 28.74 EUR |
| 10+ | 23.65 EUR |
| 100+ | 22.07 EUR |
| 1000+ | 19.68 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMBG65R010M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 158A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMBG65R010M2HXTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IMBG65R010M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
IMBG65R010M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R010M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 158 A, 650 V, 0.0091 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 158A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
IMBG65R010M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IMBG65R010M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 158A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |