IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 18.02 EUR |
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| 9000+ | 14.73 EUR |
| 12000+ | 13.52 EUR |
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Technische Details IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 416W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMBG65R015M2HXTMA1 nach Preis ab 14.06 EUR bis 24.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V |
auf Bestellung 562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 115A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMBG65R015M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V |
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