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IMBG65R015M2HXTMA1

IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 416W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm.

Weitere Produktangebote IMBG65R015M2HXTMA1 nach Preis ab 16.37 EUR bis 36.71 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+22.43 EUR
50+20.54 EUR
100+18.64 EUR
250+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.72 EUR
10+20.6 EUR
100+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r015m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.72 EUR
10+20.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+34.28 EUR
10+24.36 EUR
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IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R015M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1113 Stücke:
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1+34.86 EUR
10+25.53 EUR
100+20.9 EUR
500+18.98 EUR
1000+17.78 EUR
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IMBG65R015M2HXTMA1 IMBG65R015M2HXTMA1 INFINEON 4159863.pdf Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+36.71 EUR
8+29.19 EUR
10+22.43 EUR
50+20.54 EUR
100+18.64 EUR
250+18.27 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IMBG65R015M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.43 EUR
50+20.54 EUR
100+18.64 EUR
250+18.27 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+27.72 EUR
10+20.6 EUR
100+16.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+27.72 EUR
10+20.16 EUR
100+16.37 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+34.28 EUR
10+24.36 EUR
100+21.32 EUR
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SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1113 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+34.86 EUR
10+25.53 EUR
100+20.9 EUR
500+18.98 EUR
1000+17.78 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 650 V, 0.0132 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+36.71 EUR
8+29.19 EUR
10+22.43 EUR
50+20.54 EUR
100+18.64 EUR
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