IMBG65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.02 EUR |
| 10+ | 8.92 EUR |
| 100+ | 7.02 EUR |
| 1000+ | 6.69 EUR |
| 2000+ | 6.39 EUR |
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Technische Details IMBG65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMBG65R040M2HXTMA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
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