IMBG65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.83 EUR |
| 10+ | 12.23 EUR |
| 100+ | 9.65 EUR |
| 500+ | 8.57 EUR |
| 1000+ | 7.75 EUR |
| 2000+ | 7.71 EUR |
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Technische Details IMBG65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm.
Weitere Produktangebote IMBG65R040M2HXTMA1 nach Preis ab 7.37 EUR bis 18.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 197W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 197W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 18.03 EUR |
| 10+ | 12.35 EUR |
| 100+ | 9.23 EUR |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.04 EUR |
| 17+ | 14.39 EUR |
| 20+ | 11.09 EUR |
| 50+ | 10.22 EUR |
| 100+ | 7.52 EUR |
| 250+ | 7.37 EUR |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
Description: INFINEON - IMBG65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.04 EUR |
| 17+ | 14.39 EUR |
| 20+ | 11.09 EUR |
| 50+ | 10.22 EUR |
| 100+ | 7.52 EUR |
| 250+ | 7.37 EUR |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)