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IMBG65R072M1HXTMA1

IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies

infineonimbg65r072m1hdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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Technische Details IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote IMBG65R072M1HXTMA1 nach Preis ab 5.76 EUR bis 32.53 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 953 Stücke:
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21+8.35 EUR
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies infineonimbg65r072m1hdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMBG65R072M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 861 Stücke:
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1+14.47 EUR
10+9.47 EUR
100+8.08 EUR
500+8.02 EUR
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMBG65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7997e15a5 Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMBG65R072M1HXTMA1 IMBG65R072M1HXTMA1 INFINEON 3671355.pdf Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 33A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 2925 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
91+7.18 EUR
100+6.72 EUR
500+6.22 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.29 EUR
21+8.35 EUR
100+6.44 EUR
500+5.85 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 953 Stücke:
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17+10.29 EUR
21+8.53 EUR
100+6.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 861 Stücke:
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1+14.47 EUR
10+9.47 EUR
100+8.08 EUR
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IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon-IMBG65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ddc01d7017e49e7997e15a5
IMBG65R072M1HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
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500+7.75 EUR
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IMBG65R072M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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AnzahlPrivatkunde
10+24.07 EUR
50+22.02 EUR
100+19.97 EUR
250+19.55 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMBG65R072M1HXTMA1 3671355.pdf
IMBG65R072M1HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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8+32.53 EUR
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10+24.07 EUR
50+22.02 EUR
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250+19.55 EUR
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