IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 35+ | 4.14 EUR |
| 36+ | 3.93 EUR |
| 37+ | 3.72 EUR |
| 100+ | 3.52 EUR |
| 250+ | 3.32 EUR |
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Technische Details IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMBG65R107M1HXTMA1 nach Preis ab 3.32 EUR bis 10.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 756 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005539184 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V |
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