IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 117+ | 4.7 EUR |
| 500+ | 4.38 EUR |
| 1000+ | 4.05 EUR |
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Technische Details IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 110W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm.
Weitere Produktangebote IMBG65R107M1HXTMA1 nach Preis ab 4.3 EUR bis 10.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
auf Bestellung 416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 810 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 110W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| IMBG65R107M1HXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 0.107Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 8.64 EUR |
| 25+ | 5.78 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 17+ | 8.64 EUR |
| 25+ | 5.66 EUR |
| 100+ | 4.4 EUR |
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 10.4 EUR |
| 10+ | 6.74 EUR |
| 100+ | 5.07 EUR |
| 500+ | 4.75 EUR |
| 1000+ | 4.49 EUR |
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 10.6 EUR |
| 10+ | 7.13 EUR |
| 100+ | 5.2 EUR |
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
Description: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMBG65R107M1HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 24A; 110W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 0.107Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 4.3 EUR |