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IMCQ120R007M2HXTMA1

IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 257A 22PWRBSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 257A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 93A, 18V
Power Dissipation (Max): 1172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 29.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197.2 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8440 pF @ 800 V
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Technische Details IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 1.172kW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm.

Weitere Produktangebote IMCQ120R007M2HXTMA1 nach Preis ab 52.82 EUR bis 99.23 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
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IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon_imcq120r007m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: SICFET N-CH 1200V 257A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 257A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 93A, 18V
Power Dissipation (Max): 1172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 29.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197.2 nC @ 18 V
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IMCQ120R007M2HXTMA1 IMCQ120R007M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R007M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fae634243 Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 257A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 1.172kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
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IMCQ120R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
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SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
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IMCQ120R007M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 257A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 257A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 93A, 18V
Power Dissipation (Max): 1172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 29.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197.2 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8440 pF @ 800 V
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IMCQ120R007M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP
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Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 1.172kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+99.23 EUR
5+83.68 EUR
10+69.42 EUR
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