IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 257A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 93A, 18V
Power Dissipation (Max): 1172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 29.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197.2 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8440 pF @ 800 V
auf Bestellung 520 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 54.82 EUR |
| 10+ | 44.28 EUR |
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Technische Details IMCQ120R007M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 257A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.172kW, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IMCQ120R007M2HXTMA1 nach Preis ab 43.63 EUR bis 57.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IMCQ120R007M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling |
auf Bestellung 503 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMCQ120R007M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 257A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 1.172kW Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMCQ120R007M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R007M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 257 A, 1.2 kV, 7500 µohm, HDSOP tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 158 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMCQ120R007M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 257A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 93A, 18V Power Dissipation (Max): 1172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 29.1mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197.2 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8440 pF @ 800 V |
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