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IMCQ120R026M2HXTMA1

IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMCQ120R026M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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Technische Details IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMCQ120R026M2HXTMA1 IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies DS_IMCQ120R026M2H_v1.00_en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 800 V
auf Bestellung 291 Stücke:
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IMCQ120R026M2HXTMA1 IMCQ120R026M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R026M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fee564252 Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+26.82 EUR
11+21.16 EUR
50+19.73 EUR
100+18.29 EUR
250+17.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMCQ120R026M2HXTMA1 IMCQ120R026M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R026M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fee564252 Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 538 Stücke:
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8+33.06 EUR
9+26.82 EUR
11+21.16 EUR
50+19.73 EUR
100+18.29 EUR
250+17.93 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 800 V
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IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R026M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fee564252
IMCQ120R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+26.82 EUR
11+21.16 EUR
50+19.73 EUR
100+18.29 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMCQ120R026M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 405W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+33.06 EUR
9+26.82 EUR
11+21.16 EUR
50+19.73 EUR
100+18.29 EUR
250+17.93 EUR
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