IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 800 V
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 19.68 EUR |
| 10+ | 13.75 EUR |
| 100+ | 12.04 EUR |
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Technische Details IMCQ120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IMCQ120R026M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMCQ120R026M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R026M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMCQ120R026M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.4mOhm @ 27A, 18V Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63.4 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 800 V |
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IMCQ120R026M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package |
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